超低價(jià)DDR4內(nèi)存有貓膩：高頻不等于高能
選內(nèi)存有啥訣竅？別看廣告，看療效啊，哦不對(duì)，是別看主頻，看時(shí)序?。×w慕DDR5的5000MHZ超高主頻？那是你不了解內(nèi)存。因?yàn)閮?nèi)存的性能并不是由主頻這一項(xiàng)參數(shù)決定的，內(nèi)存的時(shí)序甚至比主頻還重要。
前不久有同事在某平臺(tái)買內(nèi)存的時(shí)候發(fā)現(xiàn)超低價(jià)DDR4內(nèi)存，8G只要134元，而京東商城同樣的高頻內(nèi)存基本上都要150元起步，雖然看起來(lái)參數(shù)差不多，但是貓膩就在于時(shí)序不一樣，某平臺(tái)上這款內(nèi)存的時(shí)序?yàn)?9-19-19-43，在DDR4內(nèi)存中屬于偏高。
看到這里你可能一頭霧水，但其實(shí)意思很簡(jiǎn)單，就是描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）性能的四個(gè)參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS。換句話說(shuō)，時(shí)序就是內(nèi)存在處理不同任務(wù)時(shí)固有延遲的時(shí)長(zhǎng)。
內(nèi)存時(shí)序的單位為時(shí)鐘周期，格式為4個(gè)由破折號(hào)連接的數(shù)字，我們不需要記住每個(gè)數(shù)字代表的意思，只要知道時(shí)序越低越好就可以。
內(nèi)存時(shí)序4個(gè)數(shù)字對(duì)應(yīng)的參數(shù)按照順序分別為CL、TRCD、TRP、TRAS，這四個(gè)代號(hào)全是縮寫(xiě)，第一個(gè)CL即CAS LATENCY，它描述的是內(nèi)存列地址訪問(wèn)的延遲時(shí)間，這也是時(shí)序中最重要的參數(shù)；
第二個(gè)TRCD，即RAS TO CAS DELAY，是指內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間；第三個(gè)TRP，即RAS PRECHARGE TIME，表示內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間；第四個(gè)TRAS，即RAS ACTIVE TIME，描述的是行地址激活的時(shí)間。
雖然不用知道這四個(gè)值的具體意義，但也容易發(fā)現(xiàn)，內(nèi)存的時(shí)序越低，意味著內(nèi)存的響應(yīng)速度越快，也就可以有更強(qiáng)的性能。
不過(guò)還有一個(gè)瓶頸在于，高頻率和低時(shí)序往往是一對(duì)矛盾體，高頻率往往也伴隨著更高的時(shí)序，而想要足夠低的時(shí)序，頻率又很難拉高。
一個(gè)很明顯的例子是，DDR5的內(nèi)存頻率可以輕松達(dá)到5000MHZ以上，但是其時(shí)序多在40-40-40-77這樣的級(jí)別，而DDR4的內(nèi)存頻率雖然在3000MHZ左右，但是時(shí)序往往能控制在16-16-16-36這樣的數(shù)值。
此外，高頻內(nèi)存需要主板和CPU同時(shí)支持，還需要在BIOS里進(jìn)行設(shè)置才能開(kāi)啟，否則會(huì)按照最低的頻率運(yùn)行，對(duì)于大多數(shù)玩家來(lái)說(shuō)也沒(méi)有那么強(qiáng)的動(dòng)手能力，所以在選內(nèi)存時(shí)，如果有預(yù)算升級(jí)更好的內(nèi)存，還是優(yōu)先選時(shí)序低的更好。